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SiS412DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
30
10
25
V GS = 10 thru 4 V
8
20
6
15
V GS = 3 V
4
10
T C = 25 °C
5
0
2
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.035
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
600
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.030
0.025
0.020
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
500
400
300
C iss
200
C oss
0.015
0.010
100
0
C rss
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 7. 8 A
1.6
I D = 7. 8 A
V GS = 10 V
1.4
6
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
2
4
6
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69006
S09-0135-Rev. C, 02-Feb-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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